服務熱線
010-63716865
本發明涉及光子晶體和分子印跡技術領域,具體涉及一維光子晶體結構聚合物膜的制備方法。
背景技術:
分子印跡技術是由模板誘導在聚合物中形成特定識別位點的過程,在傳統的分子印跡檢測法中,由于使用單一的功能單體進行聚合時,會受到溶液離子強度等的影響,出現溶脹率較大,聚合物破損等,不利于聚合物的制備。
技術實現要素:
本發明提供一維光子晶體結構聚合物膜的制備方法。采用跨度為761nm,高度為75nm,寬度為350nm的一維光子晶體模板,通過將光子晶體和分子印跡技術相結合,根據不同濃度甲基苯丙胺對分子印跡聚合物膜的作用不同,利用光學光譜儀測定反射峰強度的變化,從而實現對甲基苯丙胺的檢測。
檢測原理為:當白色入射光照射在傳感器表面時,反射光的波長符合光柵方程:mλ=d(sinθ1+θd),其中m為衍射級數,λ為衍射光波長,θ1為光源入射角;θd為反射角;d為光柵周期。
當分子印跡膜與樣品分子結合時,樣品分子進入分子印跡空腔,產生結構變化,會引起膜上面的臺階高度的改變,從而影響反射光譜的反射率,反射率的變化隨濃度的變化呈線性關系,從而檢測樣品分子濃度。